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    2013年12月24日 作者:佚名 点击: 【字体:

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    N.HAMASAKI CERAMISTST'S INC
    作者:滨崎信夫
    翻译:吴志威
    摘自:日本齿科著名权威杂志QDT (2005.7 50-57)

    全文从以下方面阐述金属烤瓷的基本堆筑法:
    I.基本堆筑法、II.指状构造堆筑法、III .使用倒堆发育沟法做出中年人牙的堆筑。(分三次连载)

    II .指状构造堆筑法

    笔者在这里将自己创造的舌侧面的指状构造堆筑法,倒堆发育沟这个新概念介绍给大家。

    传统的指状构造堆筑法,仅在牙本质瓷上作回切,在锐利的切端部位使用雕刀或毛笔,在舌侧面施加压力,这样的操作经常会导致倒塌或破损。但是,如果使用倒堆发育沟的话,完成了唇侧的堆筑,即可在堆筑的部分达到充分的强度,也可以通过目视观察堆筑部,烧结收缩也能简单的计算出来,发育沟的位置也可以容易的决定下来,而且舌侧堆筑构造层极为单纯,烧结后若有问题发生,可以在该部分削除,再次堆筑发育沟。

    利用倒堆发育沟法的特点,可以总结出下面的优点:

    ①发育沟的堆筑简单化

    ②发育沟设定位置的误差极小

    ③烧结后的修整是可能的

    1.基本堆筑法的介绍(年轻人牙齿一次烧结的基本步骤)

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 16 指状构造需要根据牙齿特征而不同

    由右边到左边的卵圆型(以下称 : O 形)尖型(以下称: T 型)方型(以下称: S 型)

    T 型是由于近远中隆线的发育而形成尖型强烈的倾向,由此而形成近远中的 2 支指状构造的牙。

    O 型和 T 型对照下,由于中央隆线的发育,中央两旁发现小的指状,可以看见 5 支指状构造的牙齿,这些特征在 T 型和 O 型比较多见。 S 型的特征比较少见,在此省略。

    2 .指状构造堆筑法的特征

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 17 发育沟涂布的方法

    以标准堆筑法为准,在回切后的指状构造隆线上,由切端到牙颈部方向涂上薄的发育沟瓷粉。

    图 18 发育沟埋入的方法,在回切后的指状构造基础上再次回切,在切端部位涂上发育沟瓷粉,再使用牙本质瓷把指状形态复原。

     

     

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 19 在舌侧牙本质瓷上进行倒堆发育沟法

     

     

    3 倒堆发育沟法的指状构造堆筑法

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 20 唇面堆筑(基本法堆筑)

    图 21 舌侧面观

     

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 22 舌侧面回切后,可看到牙本质瓷在牙冠的中央被包围。

    图 23 舌侧面回切完成

     

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 24 在舌侧面堆筑发育沟。发育沟的部位在牙本质瓷的稍微上端部。

    图 25 发育沟堆筑完成

     

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 26 珐琅瓷堆筑

    图 27 在回切后的舌侧面上使用珐琅瓷恢复。

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 28 珐琅瓷堆筑

     

    4. 倒堆发育沟的特征

    倒堆发育沟法的重点:在牙本质瓷上堆筑发育沟瓷,上端位置相同,下部堆筑在唇面位置,可以减少发育沟的浮起。在此以泪滴状堆筑发育沟,浮起的调整也可以办到,上端部位相同,堆筑厚的话,浮起就过于强。另外,也可以做到近似传统的埋入堆筑法。发育沟的瓷粉为 Mamelon Yellow(MY)

    Mamelon Pink (MP)

    要加强效果的话可以在 MY 里加上 OM-Y , MP 里加上 OM-P 以少量的混合,即可以做出高荧光性也能做出多彩的颜色表现。

    金属烤瓷冠桥--瓷粉的基本堆筑法 2

    图 29 左图突起比较少可表现弱的发育沟,中图突起比较强为比较强的发育沟,右图为近似传统的埋入发育沟法,是理想的发育沟形态。

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    文章热词:金属 瓷粉 基本